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PH9930L,115产品参数和技术文档

PH9930L产品图

PH9930L,115产品参考价格

PH9930L,115产品参数

品牌:
NXP USA Inc.
描述:
MOSFET N-CH 30V 63A LFPAK
详细描述:
表面贴装 N 沟道 30V 63A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
制造商
NXP USA Inc.
系列
TrenchMOS??
包装
带卷(TR)
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
63A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
9.9 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.15V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
13.3nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1565pF @ 12V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
62.5W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
LFPAK56,Power-SO8
封装/外壳
SC-100,SOT-669,4-LFPAK
标准包装
1,500
其它名称
934061155115 PH9930L T/R PH9930L T/R-ND
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
  •  
  • 型号
  • 供货商
  • 厂家
  • 批号
  • 数量
  • 封装
  • 单价/备注
  • 日期
  • 询价
全选 (询价技巧:选中型号前面的多选框,可以同时向多家询价。)
产品索引: P0720SBLRP P6SMB27CA P4KE350A PQ12TZ51 PESD5Z12 PZTM1102 PC895 P6SMB82A PH300F280-2 P6SMB8.2CA

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